ASD3-11.0592MHZ-LR-T:1.8V超薄晶振在工业自动化

0

首页资讯列表资讯详情

ASD3-11.0592MHZ-LR-T:1.8V超薄晶振在工业自动化

2026-10-05 10:20:15

ASD3-11.0592MHZ-LR-T是一款2.5×2.0×1.0mm超薄型HCMOS贴片晶体振荡器,专为1.8V系统设计,具备±25ppm高频稳定性与-40°C至+85°C宽温能力,广泛应用于工业自动化与物联网设备。


ASD3-11.0592MHZ-LR-T产品概述与核心优势 ASD3-11.0592MHZ-LR-T属于Abracon ASD系列,采用2.5×2.0×1.0mm的超薄SMD封装,最大高度仅为1.0mm,非常适合空间受限的轻薄型电子设备。该型号专为1.8V低压供电环境优化,具有低电流消耗的特性。其HCMOS输出结构结合三态(Tri-state)功能,能够有效降低系统功耗并简化电源管理设计。此外,该器件采用密封封装,确保了高可靠性,且完全符合RoHS标准,支持无铅回流焊工艺。


ASD3-11.0592MHZ-LR-T关键参数与电气特性 为便于工程师快速评估,以下整理了ASD3-11.0592MHZ-LR-T的核心电气参数。所有数据均严格提取自原厂规格书,具体参数以原厂规格书为准。 参数名称规格指标单位/备注标称频率11.0592MHz供电电压 (Vdd)1.71 ~ 1.89 (Typ 1.8)V (ASD3)工作温度范围-40 ~ +85°C (代码L)整体频率稳定度±25ppm (代码R)工作电流 (Idd) Max2.5mA上升/下降时间 Max10ns相位抖动0.5 ~ 1.0ps


ASD3-11.0592MHZ-LR-T典型应用场景分析 基于其1.8V低压供电、超薄尺寸以及-40°C至+85°C的宽温工作范围,ASD3-11.0592MHZ-LR-T在多个前沿领域展现出显著优势。在工业自动化领域,其宽温特性与高频率稳定性能够确保控制节点在复杂电磁与温度环境下的精准时序。在物联网(IoT)与便携式医疗设备中,其1.0mm的极限厚度与低功耗设计,完美契合了设备小型化与长续航的设计需求。同时,其出色的相位抖动表现,也使其适用于对时钟信号纯度要求较高的通信模块。


ASD3-11.0592MHZ-LR-T选型与设计注意事项 在实际电路设计中,为确保ASD3-11.0592MHZ-LR-T发挥最佳性能,工程师需注意以下实践细节。首先,规格书明确建议在PIN 2(GND)和PIN 4(Vdd)之间使用约0.01uF的旁路电容,以滤除电源噪声。其次,利用其三态功能时,需确保控制引脚的电平满足VIH≥0.7Vdd(开启)或VIH<0.3Vdd(关闭/高阻态)的阈值要求。在选型与采购环节,工程师可通过电子元器件电商平台百能云芯查阅完整规格书并获取原装现货支持,确保研发与量产的供应链安全。



综上所述,ASD3-11.0592MHZ-LR-T凭借其超薄封装、低压低功耗及宽温稳定性,成为紧凑型高可靠性电子系统的优选时钟器件。对于追求高品质元器件的硬件工程师与采购人员而言,选择百能云芯这样的专业平台进行元器件选型与批量采购,能够有效提升研发效率并保障产品品质。

商品推荐

IRF9310TRPBF&-9-VB

品 牌: VBsemi(微碧半导体)

¥0.0001

RTT021R5JTH

品 牌: RALEC(旺诠)

¥0.0001

RTT02431JTH

品 牌: RALEC(旺诠)

¥0.0001

RTT026R2JTH

品 牌: RALEC(旺诠)

¥0.0001

2D02WGF100JTCE

品 牌: UNI-ROYAL(厚声)

¥0.0001