DDR4价格涨幅十倍于DDR5,产业链承压,涨价潮持续蔓延!

0

首页资讯列表资讯详情

DDR4价格涨幅十倍于DDR5,产业链承压,涨价潮持续蔓延!

2026-02-05 00:00:00

    在半导体存储领域,技术迭代向来是市场价值迁移的风向标。自DDR5标准问世并投入商用已逾四年,按照行业惯例,前代主流的DDR4本应逐步退居二线,让出市场与价格的主导权。然而,过去一年来的市场表现却与这一规律完全背离,上演了一幕令人瞠目的反常景象:DDR4内存的价格涨幅不仅远超市场预期,更大幅超越了技术更先进的DDR5。这种“前代产品价格涨幅碾压新一代”的现象,在存储行业数十年的发展历程中尚属首次,引发了上下游产业链的广泛关注与深度思考。

  一、反常涨势:DDR4价格飙升近十九倍,与DDR5形成鲜明对比
  市场数据揭示了这一反常的剧烈程度。自去年第三季度起,存储现货市场便开启上涨通道。其中,DDR5价格虽有显著上升,累计涨幅超过三倍,但相比之下,DDR4的涨势则堪称“疯狂”。行业追踪数据显示,截至2026年1月26日,主流DDR4内存颗粒的现货价格,相较于一年前的低位,累计飙升幅度已达到约1845%,价格接近翻越十九倍的高峰。
  细致观察其走势,DDR4的涨价并非一蹴而就。实际上,从去年初开始,其价格便已启动上行,上半年涨势逐渐明朗,进入下半年后更是加速攀升。反观定位更高、技术更新的DDR5,尽管年内也有可观涨幅,但年度约465%(即近五倍)的表现,在DDR4近十九倍的涨幅面前,显得相形见绌。这种巨大的涨幅差异,彻底颠覆了技术迭代周期中的传统价格逻辑。

  二、核心动因:AI爆发驱动产能结构性转移,供需失衡加剧
  此番DDR4价格异常暴涨,其最根本、最强劲的驱动力,源于人工智能(AI)产业的爆发性增长。当前,高端AI训练与推理芯片对于内存带宽提出了近乎饥渴的需求,推动高带宽内存(HBM)成为行业争夺的战略高地。为满足全球AI芯片巨头对HBM的庞大且迫切的需求,三星、SK海力士、美光等全球主要存储制造商,不约而同地将大量的先进制程产能,从传统的标准型DRAM(包括DDR4和DDR5)生产线,转移至技术更复杂、附加值更高的HBM产品线上。
  这一大规模的产能结构性转移,直接导致用于生产DDR4及DDR5的晶圆投入持续减少。尽管DDR5作为新一代产品,其产能规划原本就在稳步提升,但DDR4的产能则因此受到了更明显的挤压。在市场需求,特别是来自数据中心、服务器升级以及庞大存量市场的需求保持相对稳定甚至增长的情况下,DDR4的供应端骤然收紧,供需矛盾迅速激化。
  此外,另一个关键因素加剧了市场的紧张情绪。面对此轮周期,主要存储厂商均表现出异常的谨慎态度,并未像过往周期那样迅速宣布大规模扩产计划。它们普遍选择维持现有的产能扩张节奏,专注于提升HBM等高利润产品的产出效率。这种整体性的产能克制策略,使得市场无法在短期内看到供应大幅增加的希望,进一步强化了价格上涨的预期,推动了价格的攀升。

  三、冲击扩散:从消费电子到智能汽车,全产业链成本压力骤增
  存储资源的紧缺与价格飙涨,其影响范围早已超越了传统的数据中心和服务器领域,正快速向更广泛的终端应用蔓延。首当其冲的是个人电脑和智能手机市场,这些消费电子产品的制造成本因内存价格上涨而承受直接压力,可能影响终端产品的定价策略与厂商利润空间。
  而下一波备受关注且可能承受更大压力的,是正处于智能化升级浪潮中的汽车产业,尤其是智能汽车。如今,高端智能汽车的驾驶舱系统、自动驾驶域控制器等对存储性能和容量的需求,已逐渐向高端消费电子产品看齐。车载信息娱乐系统、数字仪表盘、高级驾驶辅助系统(ADAS)以及未来的全自动驾驶功能,都需要大容量、高带宽的DRAM和NAND闪存支持。
  若当前存储涨价趋势持续,单台智能汽车的存储模块成本可能会出现“狂飙式”增长。这不仅将直接侵蚀汽车制造商的利润,更可能迫使车企在性能配置与成本控制间做出艰难取舍,从而影响新车型的竞争力和上市节奏,为整个汽车产业的经营带来更大的不确定性与压力。

  四、涨价潮持续蔓延,多家元器件厂商跟进调价
  值得注意的是,当前的价格上涨浪潮并不仅限于存储芯片领域。由于原材料、能源、物流及人工等多重成本的持续上升,电子元器件行业的涨价态势正在横向扩散。近期,已有多家知名元器件厂商发布调价通知,预示着产业链各环节的成本压力都在传导:

  厦门宏发电声:作为继电器、连接器、电容器等重要元器件的主要供应商之一,该公司已正式发函,宣布因主要原材料价格大幅上涨,将对部分产品执行价格调整,涨幅范围在5%至15%之间。

  南充溢辉电子科技(HKR香港电阻):该公司在致客户通知中明确指出,由于电阻生产所必需的关键贵金属材料价格出现大幅、快速上涨,公司正考虑对产品价格进行适当调整,具体细节需与相关销售经理沟通确认。

  浙江玖维电子科技:这家特种晶片电阻制造商发布了涨价函,同样将原因指向贵金属材料价格的剧烈波动,宣布产品价格上调,新订单将以正式的新报价为准执行。

  ROHM半导体:这家综合性半导体制造商也面临着成本压力,市场消息显示其已对部分产品线进行了价格调整。

  美光(Micron):除了在存储领域受关注外,其其他产品线也受到整体行业成本环境的影响。

  亚德诺半导体(ADI):该公司明确表示,此次价格调整主要是由于原材料、人工、能源及物流等方面持续存在的通胀压力所致。新的价格政策将于2026年2月1日起,适用于所有新发运的订单。

  这一系列来自不同领域元器件厂商的涨价动作,共同印证了当前电子产业链所面临的普遍性成本上升挑战。对于终端产品制造商和采购方而言,需要以更全面的视角审视供应链,积极应对由核心芯片到基础元件多层次的价格波动风险。

  结语
  综上所述,DDR4内存此番史无前例的价格暴涨,是AI技术革命引发产业链深度重构下的一个典型缩影。它清晰地揭示了在尖端技术争夺战中,传统产能所面临的挤压效应,以及由此带来的全行业连锁反应。对于下游厂商和终端用户而言,理解这一结构性变化的根源,合理规划采购与库存策略,积极寻求供应链的多元化与韧性建设,将是应对当前复杂市场局面的关键。未来一段时间,存储市场的走势,仍将紧密围绕AI产能分配、终端需求变化以及主要厂商的产能策略而剧烈波动,值得所有市场参与者持续高度关注。

      声明:文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。(采购电子了解更多元器件,就来百能云芯)

商品推荐

AP130-28YRL-13

品 牌: DIODES(美台)

¥0.0001

AP130-20YRL-13

品 牌: DIODES(美台)

¥0.0001

TC0625B100JT5E

品 牌: UniOhm(厚声)

¥0.0001

MFR02WF5102A10

品 牌: UniOhm(厚声)

¥0.0001

TC0625B1002T5E

品 牌: UniOhm(厚声)

¥0.0001