根据韩国经济新闻报导，三星电子将在2026上半年投资约1.1兆韩圜（约新台币242亿元），导入荷兰ASML最新一代High-NA EUV两台。据了解，第一台将于今年底前交付，第二台将于明年上半年追加导入。目前三星已在华城（Hwaseong）园区设有一台研发用High-NA EUV（EXE:5000），主要用于验证线宽缩小与光学对焦精度的稳定性。此次预计采购的新型EXE:5200B，相较前一代EXE:5000（NA 0.33），将数值孔径（NA）提升至0.55，解析度提升约1.7倍，可在相同晶圆面积上刻画更高密度的电路结构，有望进一步提高量产效率与产品良率。值得注意的是，三星预计于2025年启动2奈米制程量产，并在2027年导入1.4奈米节点。在此过程中，High-NA EUV可望成为缩小线宽与提升良率的核心技术支撑，对其制程竞争力具有关键影响。随着High-NA EUV的导入，三星可望同步推进高密度DRAM（1c）与先进逻辑晶片的量产，显示其加速迈向次世代制程节点的决心。不过，业界也指出，每台High-NA EUV价格高达约5,500亿韩圜（约新台币121亿元），将对公司年度资本支出带来不小压力。导入能否转化为即时效益，仍有赖后续良率与市场需求表现。反观台积电，目前则尚未将High-NA EUV纳入1.4奈米制程规划。

　　三星此举直指晶圆代工市场的被动局面。TrendForce数据显示，其代工份额已从9.1%跌至8.1%，而台积电凭借成熟工艺占据67.1%市场份额。面对台积电计划2028年启用High-NA EUV的稳健策略，三星试图以“技术突袭”抢占2nm先机——通过将研发阶段的设备快速导入量产，缩短与台积电的代差。更值得关注的是，此次投资仅是三星半导体扩张的冰山一角：其同步为存储部门增购五套标准EUV设备，总支出达2.6万亿韩圜，彻底实现代工与存储生产线设备分离。

　　三星的激进布局折射出全球半导体产业的深层焦虑。ASML当前High-NA EUV年产能仅10台，2028年前难以突破20台，而英特尔已锁定6台设备用于18A制程，三巨头垄断未来三年90%产能的格局已成定局。对三星而言，设备到位仅是第一步：TechInsights测算显示，单台High-NA EUV需每月处理5万片晶圆才能盈亏平衡，良率提升将成为其成败关键。这场“纳米级军备竞赛”已改写行业规则——当三星以开放3D封装专利换取ASML优先供货权时，技术竞合的新范式正悄然成型。三星用1.1万亿韩圜赌注押注摩尔定律的下一站。但在台积电的良率优势与英特尔的设备先发优势夹击下，这场2nm争夺战的最终赢家，仍需时间检验。

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